BUZ31L參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：SIPMOS®包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：13.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：200毫歐@7A，5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1600pF@25V功率-最大值：95W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3
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infineonTO-2632023+8350原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
